NJVMJD31CT4G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥1.610301 | ￥4025.75 |
| 5000 | ￥1.496028 | ￥7480.14 |
| 7500 | ￥1.437566 | ￥10781.74 |
| 12500 | ￥1.432389 | ￥17904.86 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
击穿电压(集电极-发射极) 100 V
发射极 - 基极电压 5 V
耗散功率 15 W
集电极连续电流 3 A
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 260.400 mg
NJVMJD31CT4G 同类别型号
注
NJVMJD31CT4G
型号：NJVMJD31CT4G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥1.610301 |
| 5000+： | ￥1.496028 |
| 7500+： | ￥1.437566 |
| 12500+： | ￥1.432389 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00