NJVMJD31CT4G
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.519953 | ￥8.52 |
| 10 | ￥7.514125 | ￥75.14 |
| 100 | ￥5.759252 | ￥575.93 |
| 500 | ￥4.553207 | ￥2276.60 |
| 1000 | ￥3.642517 | ￥3642.52 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
击穿电压(集电极-发射极) 100 V
发射极 - 基极电压 5 V
耗散功率 15 W
集电极连续电流 3 A
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 260.400 mg
NJVMJD31CT4G 同类别型号
注
NJVMJD31CT4G
型号：NJVMJD31CT4G
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.519953 |
| 10+： | ￥7.514125 |
| 100+： | ￥5.759252 |
| 500+： | ￥4.553207 |
| 1000+： | ￥3.642517 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.52