BCW66GLT3G
库存 ：180000
货期：（7~10天）
起订量：10000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10000 | ￥0.457786 | ￥4577.86 |
| 20000 | ￥0.413084 | ￥8261.68 |
| 30000 | ￥0.390353 | ￥11710.59 |
| 50000 | ￥0.364743 | ￥18237.15 |
| 70000 | ￥0.349439 | ￥24460.73 |
| 100000 | ￥0.33474 | ￥33474.00 |
| 250000 | ￥0.30231 | ￥75577.50 |
| 500000 | ￥0.284128 | ￥142064.00 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 45 V
集电极—基极电压 75 V
发射极 - 基极电压 5 V
饱和电压 700 mV
最大直流电集电极电流 800 mA
耗散功率 225 mW
增益带宽产品 100 MHz
直流集电极 50
技术 Si
外形参数
高度 0.94 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 39 mg
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注
BCW66GLT3G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
、BCW66GLT3G
数据手册PDF。
BCW66GLT3G
型号：BCW66GLT3G
品牌：ON
供货：锐单
库存：180000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 10000+： | ￥0.457786 |
| 20000+： | ￥0.413084 |
| 30000+： | ￥0.390353 |
| 50000+： | ￥0.364743 |
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| 100000+： | ￥0.33474 |
| 250000+： | ￥0.30231 |
| 500000+： | ￥0.284128 |
货期：7-10天
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