BCW66GLT3G
库存 ：192365
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥2.490076 | ￥2.49 |
| 10 | ￥1.705703 | ￥17.06 |
| 100 | ￥0.830442 | ￥83.04 |
| 500 | ￥0.692242 | ￥346.12 |
| 1000 | ￥0.480959 | ￥480.96 |
| 2000 | ￥0.41684 | ￥833.68 |
| 5000 | ￥0.386708 | ￥1933.54 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 45 V
集电极—基极电压 75 V
发射极 - 基极电压 5 V
饱和电压 700 mV
最大直流电集电极电流 800 mA
耗散功率 225 mW
增益带宽产品 100 MHz
直流集电极 50
技术 Si
外形参数
高度 0.94 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 39 mg
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注
BCW66GLT3G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
、BCW66GLT3G
数据手册PDF。
BCW66GLT3G
型号：BCW66GLT3G
品牌：ON
供货：锐单
库存：192365 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥2.490076 |
| 10+： | ￥1.705703 |
| 100+： | ￥0.830442 |
| 500+： | ￥0.692242 |
| 1000+： | ￥0.480959 |
| 2000+： | ￥0.41684 |
| 5000+： | ￥0.386708 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥2.49