BC858AWT1G
库存 ：6000
货期：（7~10天）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.445568 | ￥1336.70 |
| 6000 | ￥0.413227 | ￥2479.36 |
| 9000 | ￥0.342736 | ￥3084.62 |
| 30000 | ￥0.336672 | ￥10100.16 |
| 75000 | ￥0.302436 | ￥22682.70 |
| 150000 | ￥0.262136 | ￥39320.40 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 30 V
集电极—基极电压 - 30 V
发射极 - 基极电压 - 5 V
饱和电压 - 650 mV
最大直流电集电极电流 - 100 mA
耗散功率 150 mW
增益带宽产品 100 MHz
集电极连续电流 - 0.1 A
直流集电极 90
技术 Si
外形参数
高度 0.85 mm
长度 2.1 mm
宽度 1.24 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 6.200 mg
BC858AWT1G 同类别型号
注
BC858AWT1G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
、BC858AWT1G
数据手册PDF。
BC858AWT1G
型号：BC858AWT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：6000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.445568 |
| 6000+： | ￥0.413227 |
| 9000+： | ￥0.342736 |
| 30000+： | ￥0.336672 |
| 75000+： | ￥0.302436 |
| 150000+： | ￥0.262136 |
货期：7-10天
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