2SCR502U3HZGT106
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.698532 | ￥2095.60 |
| 6000 | ￥0.659705 | ￥3958.23 |
| 15000 | ￥0.6015 | ￥9022.50 |
| 30000 | ￥0.562673 | ￥16880.19 |
| 75000 | ￥0.549157 | ￥41186.78 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 30 V
集电极—基极电压 30 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 100 mV
最大直流电集电极电流 500 mA
耗散功率 200 mW
增益带宽产品 360 MHz
集电极连续电流 0.5 A
直流集电极 200
直流电流增益（Max） 500
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
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注
2SCR502U3HZGT106
型号：2SCR502U3HZGT106
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.698532 |
| 6000+： | ￥0.659705 |
| 15000+： | ￥0.6015 |
| 30000+： | ￥0.562673 |
| 75000+： | ￥0.549157 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00