MJD112G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.050735 | ￥5.05 |
| 75 | ￥2.433634 | ￥182.52 |
| 150 | ￥2.188673 | ￥328.30 |
| 525 | ￥1.832723 | ￥962.18 |
| 1050 | ￥1.675581 | ￥1759.36 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
配置 Single
晶体管极性 NPN
击穿电压(集电极-发射极) 100 V
发射极 - 基极电压 5 V
集电极—基极电压 100 V
最大直流电集电极电流 2 A
集电极截止电流（Max） 20 uA
耗散功率 20 W
集电极连续电流 2 A
直流集电极 1000
直流电流增益（Max） 12000
外形参数
高度 2.38 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 达林顿晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 Darlington Transistors
单位重量 590 mg
MJD112G 同类别型号
注
MJD112G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
、MJD112G
数据手册PDF。
MJD112G
型号：MJD112G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.050735 |
| 75+： | ￥2.433634 |
| 150+： | ￥2.188673 |
| 525+： | ￥1.832723 |
| 1050+： | ￥1.675581 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.05