2N5190G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥9.822355 | ￥9.82 |
| 10 | ￥8.758266 | ￥87.58 |
| 100 | ￥6.827707 | ￥682.77 |
| 500 | ￥5.640254 | ￥2820.13 |
| 1000 | ￥4.45286 | ￥4452.86 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 40 V
集电极—基极电压 40 V
发射极 - 基极电压 5 V
饱和电压 1.4 V
最大直流电集电极电流 4 A
耗散功率 40 W
增益带宽产品 2 MHz
直流集电极 25
技术 Si
外形参数
高度 11.04 mm
长度 7.74 mm
宽度 2.66 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 Through Hole
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 681 mg
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注
2N5190G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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数据手册PDF。
2N5190G
型号：2N5190G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥9.822355 |
| 10+： | ￥8.758266 |
| 100+： | ￥6.827707 |
| 500+： | ￥5.640254 |
| 1000+： | ￥4.45286 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥9.82