NSS35200MR6T1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.586592 | ￥4759.78 |
| 6000 | ￥1.484229 | ￥8905.37 |
| 15000 | ￥1.381865 | ￥20727.97 |
| 30000 | ￥1.310189 | ￥39305.67 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 35 V
集电极—基极电压 - 55 V
发射极 - 基极电压 - 5 V
饱和电压 - 260 mV
最大直流电集电极电流 - 2 A
耗散功率 625 mW
增益带宽产品 100 MHz
集电极连续电流 - 2 A
技术 Si
外形参数
高度 0.94 mm
长度 3 mm
宽度 1.5 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 20 mg
NSS35200MR6T1G 同类别型号
注
NSS35200MR6T1G
型号：NSS35200MR6T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.586592 |
| 6000+： | ￥1.484229 |
| 15000+： | ￥1.381865 |
| 30000+： | ￥1.310189 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00