NSS35200MR6T1G
库存 ：5897
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.717628 | ￥7.72 |
| 10 | ￥6.63467 | ￥66.35 |
| 100 | ￥4.952976 | ￥495.30 |
| 500 | ￥3.891427 | ￥1945.71 |
| 1000 | ￥3.006889 | ￥3006.89 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 35 V
集电极—基极电压 - 55 V
发射极 - 基极电压 - 5 V
饱和电压 - 260 mV
最大直流电集电极电流 - 2 A
耗散功率 625 mW
增益带宽产品 100 MHz
集电极连续电流 - 2 A
技术 Si
外形参数
高度 0.94 mm
长度 3 mm
宽度 1.5 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 20 mg
NSS35200MR6T1G 同类别型号
注
NSS35200MR6T1G
型号：NSS35200MR6T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：5897 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.717628 |
| 10+： | ￥6.63467 |
| 100+： | ￥4.952976 |
| 500+： | ￥3.891427 |
| 1000+： | ￥3.006889 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.72