MJB45H11T4G
库存 ：888
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥9.14461 | ￥9.14 |
| 10 | ￥7.027668 | ￥70.28 |
| 30 | ￥6.624442 | ￥198.73 |
| 100 | ￥6.235615 | ￥623.56 |
| 500 | ￥6.062804 | ￥3031.40 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 80 V
集电极—基极电压 -
发射极 - 基极电压 - 5 V
饱和电压 - 1 V
最大直流电集电极电流 - 10 A
耗散功率 50 W
增益带宽产品 40 MHz
集电极连续电流 10 A
直流集电极 60
技术 Si
外形参数
高度 4.83 mm
长度 10.29 mm
宽度 9.65 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 1.419 g
MJB45H11T4G 同类别型号
注
MJB45H11T4G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
、MJB45H11T4G
数据手册PDF。
MJB45H11T4G
型号：MJB45H11T4G
品牌：ON
供货：锐单
库存：888 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥9.14461 |
| 10+： | ￥7.027668 |
| 30+： | ￥6.624442 |
| 100+： | ￥6.235615 |
| 500+： | ￥6.062804 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥9.14