NJVMJD210T4G

制造商 onsemi

商标 onsemi

晶体管极性 PNP

配置 Single

击穿电压(集电极-发射极) - 25 V

集电极—基极电压 - 40 V

发射极 - 基极电压 - 8 V

饱和电压 - 1.8 V

最大直流电集电极电流 - 5 A

耗散功率 12.5 W

增益带宽产品 65 MHz

直流集电极 45 at 2 A, 1 V

直流电流增益（Max） 180 at 2 A, 1 V

技术 Si

产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 BJTs - Bipolar Transistors

单位重量 351 mg