NSM80101MT1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.685771 | ￥2057.31 |
| 6000 | ￥0.64421 | ￥3865.26 |
| 15000 | ￥0.602647 | ￥9039.70 |
| 30000 | ￥0.552795 | ￥16583.85 |
| 75000 | ￥0.532015 | ￥39901.13 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 80 V
集电极—基极电压 80 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 300 mV
最大直流电集电极电流 500 mA
耗散功率 400 mW
增益带宽产品 150 MHz
直流集电极 120
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 13.430 mg
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注
NSM80101MT1G
型号：NSM80101MT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.685771 |
| 6000+： | ￥0.64421 |
| 15000+： | ￥0.602647 |
| 30000+： | ￥0.552795 |
| 75000+： | ￥0.532015 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00