SBC808-25LT1G

制造商 onsemi

商标 onsemi

晶体管极性 PNP

配置 Single

击穿电压(集电极-发射极) 25 V

集电极—基极电压 30 V

发射极 - 基极电压 5 V

最大直流电集电极电流 0.5 A

耗散功率 300 mW

增益带宽产品 100 MHz

直流集电极 160 at 100 mA, 1 V

直流电流增益（Max） 160 at 100 mA, 1 V

技术 Si

高度 0.94 mm

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

资格 AEC-Q101

产品类型 BJTs - Bipolar Transistors

单位重量 8 mg