2N6491G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.56198 | ￥5.56 |
| 10 | ￥4.633162 | ￥46.33 |
| 50 | ￥4.16329 | ￥208.16 |
| 100 | ￥3.704345 | ￥370.43 |
| 500 | ￥3.420236 | ￥1710.12 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 80 V
集电极—基极电压 - 90 V
发射极 - 基极电压 - 5 V
饱和电压 - 3.5 V
最大直流电集电极电流 - 15 A
耗散功率 75 W
增益带宽产品 5 MHz
集电极连续电流 15 A
直流集电极 20
技术 Si
外形参数
高度 15.75 mm
长度 10.53 mm
宽度 4.83 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 Through Hole
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 6 g
2N6491G 同类别型号
注
2N6491G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
、2N6491G
数据手册PDF。
2N6491G
型号：2N6491G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.56198 |
| 10+： | ￥4.633162 |
| 50+： | ￥4.16329 |
| 100+： | ￥3.704345 |
| 500+： | ￥3.420236 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.56