MJ11032
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定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
MJ11032
制造商
NTE
商品描述
T-NPN SI-GEN PUR AMP DARL
包装
-
系列
-
零件状态
Active
晶体管类型
NPN - Darlington
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
50A
电压 - 集射极击穿（最大值）
120V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
3.5V @ 500mA, 50A
电流 - 集电极截止（最大值）
2mA
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
1000 @ 25A, 5V
功率 - 最大值
300W
频率 - 跃迁
-
工作温度
-55°C ~ 200°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/外壳
TO-204AE
供应商器件封装
TO-3
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注
MJ11032品牌厂家：NTE
，所属分类： 双极性晶体管
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数据手册PDF。
MJ11032
型号：MJ11032
品牌：NTE
供货：锐单
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