NST856BF3T5G
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥1.360782 | ￥1.36 |
| 200 | ￥0.526606 | ￥105.32 |
| 500 | ￥0.508099 | ￥254.05 |
| 1000 | ￥0.498953 | ￥498.95 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 65 V
集电极—基极电压 80 V
发射极 - 基极电压 5 V
最大直流电集电极电流 0.1 A
耗散功率 347 mW
增益带宽产品 100 MHz
直流集电极 220 at 2 mA, 5 V
直流电流增益（Max） 220 at 2 mA, 5 V
技术 Si
外形参数
高度 0.37 mm
长度 0.6 mm
宽度 0.8 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
NST856BF3T5G 同类别型号
注
NST856BF3T5G
型号：NST856BF3T5G
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥1.360782 |
| 200+： | ￥0.526606 |
| 500+： | ￥0.508099 |
| 1000+： | ￥0.498953 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥1.36