2SCR502EBHZGTL
库存 ：3000
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.20105 | ￥4.20 |
| 10 | ￥3.459688 | ￥34.60 |
| 100 | ￥1.836106 | ￥183.61 |
| 500 | ￥1.208172 | ￥604.09 |
| 1000 | ￥0.821554 | ￥821.55 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 30 V
集电极—基极电压 30 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 100 mV
最大直流电集电极电流 500 mA
耗散功率 150 mW
增益带宽产品 360 MHz
集电极连续电流 0.5 A
直流集电极 200
直流电流增益（Max） 500
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
零件号别名 2SCR502EBHZG
2SCR502EBHZGTL 同类别型号
注
2SCR502EBHZGTL
型号：2SCR502EBHZGTL
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：3000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.20105 |
| 10+： | ￥3.459688 |
| 100+： | ￥1.836106 |
| 500+： | ￥1.208172 |
| 1000+： | ￥0.821554 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.20