NSV40200LT1G
库存 ：2245
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.828615 | ￥6.83 |
| 10 | ￥5.560443 | ￥55.60 |
| 100 | ￥3.782216 | ￥378.22 |
| 500 | ￥2.836244 | ￥1418.12 |
| 1000 | ￥2.127184 | ￥2127.18 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 40 V
集电极—基极电压 - 40 V
发射极 - 基极电压 - 7 V
饱和电压 - 135 mV
最大直流电集电极电流 - 2 A
耗散功率 460 mW
增益带宽产品 100 MHz
直流集电极 250 at - 10 mA, - 2 V
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 8 mg
NSV40200LT1G 同类别型号
注
NSV40200LT1G
型号：NSV40200LT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：2245 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥6.828615 |
| 10+： | ￥5.560443 |
| 100+： | ￥3.782216 |
| 500+： | ￥2.836244 |
| 1000+： | ￥2.127184 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.83