NSV60600MZ4T1G
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥11.333687 | ￥11.33 |
| 10 | ￥9.973646 | ￥99.74 |
| 100 | ￥7.651656 | ￥765.17 |
| 500 | ￥6.048789 | ￥3024.39 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 60 V
集电极—基极电压 - 100 V
发射极 - 基极电压 - 6 V
饱和电压 - 100 mV
最大直流电集电极电流 - 6 A
耗散功率 2 W
增益带宽产品 100 MHz
直流集电极 120
直流电流增益（Max） 360 at - 1 A, - 2 V
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 112 mg
NSV60600MZ4T1G 同类别型号
注
NSV60600MZ4T1G
型号：NSV60600MZ4T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥11.333687 |
| 10+： | ￥9.973646 |
| 100+： | ￥7.651656 |
| 500+： | ￥6.048789 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥11.33