NJVMJD350T4G
库存 ：1365
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥12.5445 | ￥12.54 |
| 10 | ￥8.383398 | ￥83.83 |
| 100 | ￥5.758231 | ￥575.82 |
| 500 | ￥4.567728 | ￥2283.86 |
| 1000 | ￥4.175484 | ￥4175.48 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 300 V
集电极—基极电压 - 300 V
发射极 - 基极电压 - 3 V
饱和电压 - 1 V
最大直流电集电极电流 - 500 mA
耗散功率 15 W
增益带宽产品 10 MHz
集电极连续电流 0.5 A
直流集电极 30
直流电流增益（Max） 240
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 260.400 mg
NJVMJD350T4G 同类别型号
注
NJVMJD350T4G
型号：NJVMJD350T4G
品牌：ON
供货：锐单
库存：1365 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥12.5445 |
| 10+： | ￥8.383398 |
| 100+： | ￥5.758231 |
| 500+： | ￥4.567728 |
| 1000+： | ￥4.175484 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥12.54