2SC5658RM3T5G
库存 ：11394
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.606961 | ￥4.61 |
| 10 | ￥3.125263 | ￥31.25 |
| 100 | ￥1.527768 | ￥152.78 |
| 500 | ￥1.273764 | ￥636.88 |
| 1000 | ￥0.885036 | ￥885.04 |
| 2000 | ￥0.767122 | ￥1534.24 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极—基极电压 50 V
发射极 - 基极电压 7 V
饱和电压 400 mV
最大直流电集电极电流 150 mA
耗散功率 260 mW
增益带宽产品 180 MHz
集电极连续电流 100 mA
直流集电极 120
直流电流增益（Max） 560
技术 Si
外形参数
高度 0.55 mm
长度 1.25 mm
宽度 0.85 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 1.275 mg
2SC5658RM3T5G 同类别型号
注
2SC5658RM3T5G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
、2SC5658RM3T5G
数据手册PDF。
2SC5658RM3T5G
型号：2SC5658RM3T5G
品牌：ON
供货：锐单
库存：11394 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.606961 |
| 10+： | ￥3.125263 |
| 100+： | ￥1.527768 |
| 500+： | ￥1.273764 |
| 1000+： | ￥0.885036 |
| 2000+： | ￥0.767122 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.61