NSVT489AMT1G

制造商 onsemi

商标 onsemi

晶体管极性 NPN

配置 Single

击穿电压(集电极-发射极) 30 V

集电极—基极电压 50 V

发射极 - 基极电压 5 V

饱和电压 50 mV

最大直流电集电极电流 2 A

耗散功率 1.18 W

增益带宽产品 300 MHz

直流集电极 300 at 1 mA, 5 V, 300 at 500 mA, 5 V, 200 at 1 A, 5 V

技术 Si

产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 BJTs - Bipolar Transistors

单位重量 17.350 mg