NSVBCW68GLT1G
库存 ：57
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.786345 | ￥6.79 |
| 10 | ￥5.035468 | ￥50.35 |
| 100 | ￥2.84755 | ￥284.75 |
| 500 | ￥1.886063 | ￥943.03 |
| 1000 | ￥1.446035 | ￥1446.03 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 45 V
集电极—基极电压 - 60 V
发射极 - 基极电压 - 5 V
饱和电压 - 700 mV
最大直流电集电极电流 - 800 mA
耗散功率 225 mW
增益带宽产品 100 MHz
集电极连续电流 - 800 mA
直流集电极 60
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 8 mg
NSVBCW68GLT1G 同类别型号
注
NSVBCW68GLT1G
型号：NSVBCW68GLT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：57 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥6.786345 |
| 10+： | ￥5.035468 |
| 100+： | ￥2.84755 |
| 500+： | ￥1.886063 |
| 1000+： | ￥1.446035 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.79