NJVMJD45H11T4G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥2.269559 | ￥5673.90 |
| 5000 | ￥2.161481 | ￥10807.41 |
| 12500 | ￥2.061718 | ￥25771.47 |
| 25000 | ￥2.057768 | ￥51444.20 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 80 V
集电极—基极电压 -
发射极 - 基极电压 - 5 V
饱和电压 - 1 V
最大直流电集电极电流 - 8 A
耗散功率 20 W
增益带宽产品 90 MHz
集电极连续电流 8 A
直流集电极 60
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 260.400 mg
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注
NJVMJD45H11T4G
型号：NJVMJD45H11T4G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥2.269559 |
| 5000+： | ￥2.161481 |
| 12500+： | ￥2.061718 |
| 25000+： | ￥2.057768 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00