NJVMJD45H11T4G
库存 ：1719
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥13.287053 | ￥13.29 |
| 10 | ￥10.872525 | ￥108.73 |
| 100 | ￥8.460852 | ￥846.09 |
| 500 | ￥7.171296 | ￥3585.65 |
| 1000 | ￥5.841875 | ￥5841.88 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 80 V
集电极—基极电压 -
发射极 - 基极电压 - 5 V
饱和电压 - 1 V
最大直流电集电极电流 - 8 A
耗散功率 20 W
增益带宽产品 90 MHz
集电极连续电流 8 A
直流集电极 60
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 260.400 mg
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注
NJVMJD45H11T4G
型号：NJVMJD45H11T4G
品牌：ON
供货：锐单
库存：1719 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥13.287053 |
| 10+： | ￥10.872525 |
| 100+： | ￥8.460852 |
| 500+： | ￥7.171296 |
| 1000+： | ￥5.841875 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥13.29