2SB1215T-H
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.685201 | ￥8.69 |
| 200 | ￥3.368405 | ￥673.68 |
| 500 | ￥3.252822 | ￥1626.41 |
| 1000 | ￥3.186776 | ￥3186.78 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 100 V
集电极—基极电压 - 120 V
发射极 - 基极电压 - 6 V
饱和电压 - 200 mV
最大直流电集电极电流 - 3 A
耗散功率 1 W
增益带宽产品 130 MHz
集电极连续电流 3 A
直流集电极 70
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 Through Hole
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 4 g
2SB1215T-H 同类别型号
注
2SB1215T-H品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
、2SB1215T-H
数据手册PDF。
2SB1215T-H
型号：2SB1215T-H
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.685201 |
| 200+： | ￥3.368405 |
| 500+： | ￥3.252822 |
| 1000+： | ￥3.186776 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.69