NJVMJD50T4G

制造商 onsemi

商标 onsemi

晶体管极性 NPN

配置 Single

击穿电压(集电极-发射极) 400 V

集电极—基极电压 500 V

发射极 - 基极电压 5 V

饱和电压 1 V

最大直流电集电极电流 1 A

耗散功率 15 W

增益带宽产品 10 MHz

直流集电极 25 at 200 mA, 10 V

直流电流增益（Max） 150 at 300 mA, 10 V

技术 Si

产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 BJTs - Bipolar Transistors

单位重量 351 mg