NJVMJD45H11G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.54241 | ￥5.54 |
| 75 | ￥4.569128 | ￥342.68 |
| 150 | ￥3.316426 | ￥497.46 |
| 525 | ￥2.77097 | ￥1454.76 |
| 1050 | ￥2.358237 | ￥2476.15 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 80 V
集电极—基极电压 -
发射极 - 基极电压 - 5 V
饱和电压 - 1 V
最大直流电集电极电流 - 8 A
耗散功率 20 W
增益带宽产品 90 MHz
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 350 mg
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注
NJVMJD45H11G
型号：NJVMJD45H11G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.54241 |
| 75+： | ￥4.569128 |
| 150+： | ￥3.316426 |
| 525+： | ￥2.77097 |
| 1050+： | ￥2.358237 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.54