NJVMJD44H11T4G
库存 ：1222
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥11.373107 | ￥11.37 |
| 10 | ￥9.815485 | ￥98.15 |
| 100 | ￥6.797904 | ￥679.79 |
| 500 | ￥5.680373 | ￥2840.19 |
| 1000 | ￥4.834436 | ￥4834.44 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 80 V
集电极—基极电压 -
发射极 - 基极电压 5 V
饱和电压 1 V
最大直流电集电极电流 8 A
耗散功率 20 W
增益带宽产品 85 MHz
集电极连续电流 8 A
直流集电极 60
直流电流增益（Max） 60 at 2 A, 1 V
技术 Si
外形参数
高度 2.38 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
零件号别名 NJVMJD44H11T4G-VF01
单位重量 351 mg
NJVMJD44H11T4G 同类别型号
注
NJVMJD44H11T4G
型号：NJVMJD44H11T4G
品牌：ON
供货：锐单
库存：1222 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥11.373107 |
| 10+： | ￥9.815485 |
| 100+： | ￥6.797904 |
| 500+： | ￥5.680373 |
| 1000+： | ￥4.834436 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥11.37