NJVNJD35N04T4G
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥13.97987 | ￥13.98 |
| 10 | ￥12.486874 | ￥124.87 |
| 100 | ￥9.735689 | ￥973.57 |
| 500 | ￥8.04209 | ￥4021.05 |
| 1000 | ￥6.349033 | ￥6349.03 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
配置 Single
晶体管极性 NPN
击穿电压(集电极-发射极) 350 V
发射极 - 基极电压 5 V
集电极—基极电压 700 V
集电极截止电流（Max） 250 uA
耗散功率 45 W
集电极连续电流 4 A
直流集电极 2000
增益带宽产品 90 MHz
物理类型
产品种类 达林顿晶体管
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 Darlington Transistors
单位重量 260.400 mg
NJVNJD35N04T4G 同类别型号
注
NJVNJD35N04T4G
型号：NJVNJD35N04T4G
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥13.97987 |
| 10+： | ￥12.486874 |
| 100+： | ￥9.735689 |
| 500+： | ￥8.04209 |
| 1000+： | ￥6.349033 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥13.98