NSVBCP69T1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥0.946607 | ￥946.61 |
| 2000 | ￥0.867793 | ￥1735.59 |
| 5000 | ￥0.815134 | ￥4075.67 |
| 10000 | ￥0.762545 | ￥7625.45 |
| 25000 | ￥0.699438 | ￥17485.95 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
配置 Single Dual Collector
晶体管极性 PNP
直流集电极 50
工作频率（Max） 60 MHz
击穿电压(集电极-发射极) 20 V
集电极连续电流 1 A
耗散功率 1.5 W
集电极—基极电压 25 V
外形参数
高度 1.65 mm
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格 AEC-Q101
单位重量 300 mg
NSVBCP69T1G 同类别型号
注
NSVBCP69T1G
型号：NSVBCP69T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1000+： | ￥0.946607 |
| 2000+： | ￥0.867793 |
| 5000+： | ￥0.815134 |
| 10000+： | ￥0.762545 |
| 25000+： | ￥0.699438 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00