NSVBCP69T1G
库存 ：32308
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.032285 | ￥6.03 |
| 10 | ￥4.894376 | ￥48.94 |
| 100 | ￥3.334209 | ￥333.42 |
| 500 | ￥2.500658 | ￥1250.33 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
配置 Single Dual Collector
晶体管极性 PNP
直流集电极 50
工作频率（Max） 60 MHz
击穿电压(集电极-发射极) 20 V
集电极连续电流 1 A
耗散功率 1.5 W
集电极—基极电压 25 V
外形参数
高度 1.65 mm
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格 AEC-Q101
单位重量 300 mg
NSVBCP69T1G 同类别型号
注
NSVBCP69T1G
型号：NSVBCP69T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：32308 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥6.032285 |
| 10+： | ￥4.894376 |
| 100+： | ￥3.334209 |
| 500+： | ￥2.500658 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.03