BSP52T1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥0.91709 | ￥917.09 |
| 2000 | ￥0.819801 | ￥1639.60 |
| 5000 | ￥0.778131 | ￥3890.66 |
| 10000 | ￥0.722571 | ￥7225.71 |
| 25000 | ￥0.705856 | ￥17646.40 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
配置 Single
晶体管极性 NPN
击穿电压(集电极-发射极) 80 V
发射极 - 基极电压 5 V
集电极—基极电压 90 V
最大直流电集电极电流 1 A
耗散功率 800 mW
集电极连续电流 1 A
直流集电极 1000, 2000
外形参数
高度 1.57 mm
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
物理类型
产品种类 达林顿晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 Darlington Transistors
单位重量 210 mg
BSP52T1G 同类别型号
注
BSP52T1G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
、BSP52T1G
数据手册PDF。
BSP52T1G
型号：BSP52T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1000+： | ￥0.91709 |
| 2000+： | ￥0.819801 |
| 5000+： | ￥0.778131 |
| 10000+： | ￥0.722571 |
| 25000+： | ￥0.705856 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00