货期:(7~10天)
起订量:2000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2000 | ¥1.347425 | ¥2694.85 |
6000 | ¥1.288486 | ¥7730.92 |
10000 | ¥1.141326 | ¥11413.26 |
50000 | ¥0.957222 | ¥47861.10 |
100000 | ¥0.942517 | ¥94251.70 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 530 V
集电极—基极电压 -
发射极 - 基极电压 10 V
饱和电压 300 mV
最大直流电集电极电流 1.5 A
耗散功率 1 W
增益带宽产品 4 MHz
技术 Si
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 Through Hole
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 400 g
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0APT13003NZTR-G1
型号:APT13003NZTR-G1
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
2000+: | ¥1.347425 |
6000+: | ¥1.288486 |
10000+: | ¥1.141326 |
50000+: | ¥0.957222 |
100000+: | ¥0.942517 |
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