
货期:(7~10天)
起订量:2000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2000 | ¥1.544923 | ¥3089.85 |
| 6000 | ¥1.477347 | ¥8864.08 |
| 10000 | ¥1.308617 | ¥13086.17 |
| 50000 | ¥1.097527 | ¥54876.35 |
| 100000 | ¥1.080667 | ¥108066.70 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 530 V
集电极—基极电压 -
发射极 - 基极电压 10 V
饱和电压 300 mV
最大直流电集电极电流 1.5 A
耗散功率 1 W
增益带宽产品 4 MHz
技术 Si
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 Through Hole
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 400 g
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0APT13003NZTR-G1
型号:APT13003NZTR-G1
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 2000+: | ¥1.544923 |
| 6000+: | ¥1.477347 |
| 10000+: | ¥1.308617 |
| 50000+: | ¥1.097527 |
| 100000+: | ¥1.080667 |
货期:7-10天
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