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APT13003NZTR-G1

DIODES(美台)
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制造商编号:
APT13003NZTR-G1
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
双极性晶体管
商品描述:
IC POWER TRANSISTOR HV TO92
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:2000

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
2000 0.637577 1275.15
6000 0.609688 3658.13
10000 0.540055 5400.55
50000 0.452939 22646.95
100000 0.445982 44598.20

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

晶体管极性 NPN

配置 Single

击穿电压(集电极-发射极) 530 V

集电极—基极电压 -

发射极 - 基极电压 10 V

饱和电压 300 mV

最大直流电集电极电流 1.5 A

耗散功率 1 W

增益带宽产品 4 MHz

技术 Si

物理类型

产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格 Through Hole

产品类型 BJTs - Bipolar Transistors

单位重量 400 g

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APT13003NZTR-G1

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型号:APT13003NZTR-G1

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

2000+: ¥0.637577
6000+: ¥0.609688
10000+: ¥0.540055
50000+: ¥0.452939
100000+: ¥0.445982

货期:1-2天

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