
货期:国内(1~3工作日)
起订量:2000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2000 | ¥0.637577 | ¥1275.15 |
| 6000 | ¥0.609688 | ¥3658.13 |
| 10000 | ¥0.540055 | ¥5400.55 |
| 50000 | ¥0.452939 | ¥22646.95 |
| 100000 | ¥0.445982 | ¥44598.20 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 530 V
集电极—基极电压 -
发射极 - 基极电压 10 V
饱和电压 300 mV
最大直流电集电极电流 1.5 A
耗散功率 1 W
增益带宽产品 4 MHz
技术 Si
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 Through Hole
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 400 g
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0APT13003NZTR-G1
型号:APT13003NZTR-G1
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 2000+: | ¥0.637577 |
| 6000+: | ¥0.609688 |
| 10000+: | ¥0.540055 |
| 50000+: | ¥0.452939 |
| 100000+: | ¥0.445982 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00