BSS5130AHZGT116
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.663985 | ￥4991.95 |
| 6000 | ￥1.563161 | ￥9378.97 |
| 15000 | ￥1.462337 | ￥21935.06 |
| 30000 | ￥1.42712 | ￥42813.60 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 30 V
集电极—基极电压 - 30 V
发射极 - 基极电压 - 6 V
饱和电压 - 100 mV
最大直流电集电极电流 - 1 A
耗散功率 200 mW
增益带宽产品 320 MHz
集电极连续电流 - 1 A
直流集电极 270
直流电流增益（Max） 680
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
BSS5130AHZGT116 同类别型号
注
BSS5130AHZGT116
型号：BSS5130AHZGT116
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.663985 |
| 6000+： | ￥1.563161 |
| 15000+： | ￥1.462337 |
| 30000+： | ￥1.42712 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00