SBCP56T1G

制造商 onsemi

商标 onsemi

晶体管极性 NPN

配置 Single

击穿电压(集电极-发射极) 80 V

集电极—基极电压 100 V

发射极 - 基极电压 5 V

饱和电压 500 mV

最大直流电集电极电流 1 A

耗散功率 1.5 W

增益带宽产品 130 MHz

直流集电极 25 at 5 mA, 2 V, 40 at 150 mA, 2 V, 25 at 500 mA, 2 V

直流电流增益（Max） 25 at 5 mA, 2 V

技术 Si

高度 1.57 mm

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 BJTs - Bipolar Transistors

单位重量 112 mg