
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥6.516871 | ¥6.52 |
| 10 | ¥4.80265 | ¥48.03 |
| 100 | ¥2.721503 | ¥272.15 |
| 500 | ¥1.802057 | ¥901.03 |
| 1000 | ¥1.381574 | ¥1381.57 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 160 V
集电极—基极电压 180 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 115 mV
最大直流电集电极电流 600 mA
耗散功率 330 mW
增益带宽产品 130 MHz
直流集电极 80 at 1 mA, 5 V, 80 at 10 mA, 5 V, 30 at 50 mA, 5 V
直流电流增益(Max) 80 at 1 mA, 5 V
技术 Si
高度 1.02 mm
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 8 mg
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0ZXTN5551FLTA
型号:ZXTN5551FLTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥6.516871 |
| 10+: | ¥4.80265 |
| 100+: | ¥2.721503 |
| 500+: | ¥1.802057 |
| 1000+: | ¥1.381574 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.52