BUV21G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥108.162905 | ￥108.16 |
| 10 | ￥99.392939 | ￥993.93 |
| 25 | ￥95.272224 | ￥2381.81 |
| 100 | ￥85.021889 | ￥8502.19 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 200 V
集电极—基极电压 250 V
发射极 - 基极电压 7 V
饱和电压 1.5 V
最大直流电集电极电流 40 A
耗散功率 250 W
增益带宽产品 8 MHz
集电极连续电流 40 A
直流集电极 20
技术 Si
外形参数
高度 8.51 mm
长度 38.86 mm
宽度 26.67 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 Through Hole
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 13.762 g
BUV21G 同类别型号
注
BUV21G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
、BUV21G
数据手册PDF。
BUV21G
型号：BUV21G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥108.162905 |
| 10+： | ￥99.392939 |
| 25+： | ￥95.272224 |
| 100+： | ￥85.021889 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥108.16