MMBT5551M3T5G
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起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥2.492143 | ￥2.49 |
| 10 | ￥1.744501 | ￥17.45 |
| 100 | ￥0.940784 | ￥94.08 |
| 500 | ￥0.73942 | ￥369.71 |
| 1000 | ￥0.513506 | ￥513.51 |
| 2000 | ￥0.42541 | ￥850.82 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 160 V
集电极—基极电压 180 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 200 mV
最大直流电集电极电流 60 mA
耗散功率 640 mW
增益带宽产品 -
直流集电极 80 at 1 mA, 5 V, 80 at 10 mA, 5 V, 30 at 50 mA, 5 V
直流电流增益（Max） 80 at 1 mA, 5 V
技术 Si
外形参数
高度 0.5 mm
长度 1.2 mm
宽度 0.8 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 1.275 mg
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注
MMBT5551M3T5G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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数据手册PDF。
MMBT5551M3T5G
型号：MMBT5551M3T5G
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥2.492143 |
| 10+： | ￥1.744501 |
| 100+： | ￥0.940784 |
| 500+： | ￥0.73942 |
| 1000+： | ￥0.513506 |
| 2000+： | ￥0.42541 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥2.49