ZTX658QSTZ
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- 制造商编号：
- ZTX658QSTZ
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 双极性晶体管
- 商品描述：
- PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR EP3 AM
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2000 | ￥2.778609 | ￥5557.22 |
| 6000 | ￥2.646307 | ￥15877.84 |
| 10000 | ￥2.524156 | ￥25241.56 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 400 V
集电极—基极电压 400 V
发射极 - 基极电压 5 V
饱和电压 0.5 V
最大直流电集电极电流 500 mA
耗散功率 1 W
增益带宽产品 50 MHz
集电极连续电流 500 mA
直流集电极 40
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
ZTX658QSTZ 同类别型号
注
ZTX658QSTZ
型号：ZTX658QSTZ
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2000+： | ￥2.778609 |
| 6000+： | ￥2.646307 |
| 10000+： | ￥2.524156 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00