2SA2012-TD-E
库存 ：2585
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.069118 | ￥5.07 |
| 200 | ￥1.964902 | ￥392.98 |
| 500 | ￥1.898856 | ￥949.43 |
| 1000 | ￥1.865832 | ￥1865.83 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 30 V
集电极—基极电压 - 30 V
发射极 - 基极电压 - 5 V
饱和电压 - 140 mV
最大直流电集电极电流 - 5 A
耗散功率 3.5 W
增益带宽产品 350 MHz
直流集电极 200
直流电流增益（Max） 560
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 51.570 mg
2SA2012-TD-E 同类别型号
注
2SA2012-TD-E品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
、2SA2012-TD-E
数据手册PDF。
2SA2012-TD-E
型号：2SA2012-TD-E
品牌：ON
供货：锐单
库存：2585 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.069118 |
| 200+： | ￥1.964902 |
| 500+： | ￥1.898856 |
| 1000+： | ￥1.865832 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.07