NSV60601MZ4T1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥1.50194 | ￥1501.94 |
| 2000 | ￥1.361123 | ￥2722.25 |
| 5000 | ￥1.267244 | ￥6336.22 |
| 10000 | ￥1.220306 | ￥12203.06 |
| 25000 | ￥1.177792 | ￥29444.80 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 60 V
集电极—基极电压 100 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 300 mV
最大直流电集电极电流 6 A
耗散功率 2 W
增益带宽产品 100 MHz
直流集电极 120
直流电流增益（Max） 360 at 1 A, 2 V
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 112 mg
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注
NSV60601MZ4T1G
型号：NSV60601MZ4T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1000+： | ￥1.50194 |
| 2000+： | ￥1.361123 |
| 5000+： | ￥1.267244 |
| 10000+： | ￥1.220306 |
| 25000+： | ￥1.177792 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00