货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥780.546 | ¥780.55 |
10 | ¥677.688622 | ¥6776.89 |
100 | ¥623.130674 | ¥62313.07 |
250 | ¥601.634027 | ¥150408.51 |
制造商 SemiQ
产品 Power MOSFET Modules
商标 SemiQ
正向电压 1.54 V
反向电压 1200 V
栅极电压 - 10 V, 25 V
下降时间 35 ns
漏极电流 120 A
工作电源电压 -
耗散功率 640 W
漏源电阻 80 mOhms
上升时间 53 ns
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel and SBD
典型关闭延迟时间 27 ns
典型接通延迟时间 15 ns
漏源击穿电压 1200 V
栅源极阈值电压 2 V
产品种类 分立半导体模块
类型 SiC Power Module
安装风格 Screw Mount
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
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0GCMS080A120S1-E1
型号:GCMS080A120S1-E1
品牌:SEMIQ
供货:锐单
单价:
1+: | ¥780.546 |
10+: | ¥677.688622 |
100+: | ¥623.130674 |
250+: | ¥601.634027 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥780.55