GCMS080A120S1-E1

制造商 SemiQ

产品 Power MOSFET Modules

商标 SemiQ

正向电压 1.54 V

反向电压 1200 V

栅极电压 - 10 V, 25 V

下降时间 35 ns

漏极电流 120 A

工作电源电压 -

耗散功率 640 W

漏源电阻 80 mOhms

上升时间 53 ns

技术 SiC

晶体管极性 N-Channel and SBD

典型关闭延迟时间 27 ns

典型接通延迟时间 15 ns

漏源击穿电压 1200 V

栅源极阈值电压 2 V

产品种类 分立半导体模块

类型 SiC Power Module

安装风格 Screw Mount

产品类型 Discrete Semiconductor Modules