货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥1266.138459 | ¥1266.14 |
10 | ¥1135.081462 | ¥11350.81 |
100 | ¥1053.410575 | ¥105341.06 |
制造商 SemiQ
产品 Power MOSFET Modules
商标 SemiQ
正向电压 1.54 V
反向电压 1200 V
栅极电压 - 10 V, 25 V
下降时间 35 ns
漏极电流 120 A
工作电源电压 -
耗散功率 640 W
漏源电阻 40 mOhms
上升时间 53 ns
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel and SBD
典型关闭延迟时间 27 ns
典型接通延迟时间 15 ns
漏源击穿电压 1200 V
栅源极阈值电压 2 V
产品种类 分立半导体模块
类型 SiC Power Module
安装风格 Screw Mount
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
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0GCMS040A120S1-E1
型号:GCMS040A120S1-E1
品牌:SEMIQ
供货:锐单
单价:
1+: | ¥1266.138459 |
10+: | ¥1135.081462 |
100+: | ¥1053.410575 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥1266.14