NSL12AWT1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.79453 | ￥2383.59 |
| 6000 | ￥0.746376 | ￥4478.26 |
| 15000 | ￥0.698223 | ￥10473.35 |
| 30000 | ￥0.640439 | ￥19213.17 |
| 75000 | ￥0.616362 | ￥46227.15 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 12 V
集电极—基极电压 - 12 V
发射极 - 基极电压 - 5 V
饱和电压 - 170 mV
最大直流电集电极电流 - 2 A
耗散功率 450 mW
增益带宽产品 100 MHz
集电极连续电流 - 2 A
技术 Si
外形参数
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 28 mg
NSL12AWT1G 同类别型号
注
NSL12AWT1G
型号：NSL12AWT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.79453 |
| 6000+： | ￥0.746376 |
| 15000+： | ￥0.698223 |
| 30000+： | ￥0.640439 |
| 75000+： | ￥0.616362 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00