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制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 400 V
集电极—基极电压 400 V
发射极 - 基极电压 5 V
饱和电压 500 mV
最大直流电集电极电流 1 A
耗散功率 1000 mW
增益带宽产品 50 MHz
直流集电极 40 at 200 mA, 10 V
直流电流增益(Max) 50 at 1 mA, 5 V
技术 Si
高度 1.6 mm
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 112 mg
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0DZT658-13
型号:DZT658-13
品牌:DIODES
供货:锐单
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