FMMT555TA

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

晶体管极性 PNP

配置 Single

击穿电压(集电极-发射极) - 150 V

集电极—基极电压 - 160 V

发射极 - 基极电压 - 5 V

饱和电压 - 300 mV

最大直流电集电极电流 - 1 A

耗散功率 500 mW

增益带宽产品 100 MHz

集电极连续电流 - 1 A

直流集电极 50 at 10 mA, 10 V, 50 at 300 mA, 10 V

直流电流增益（Max） 50 at 10 mA, 10 V

技术 Si

高度 1.1 mm

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格 SMD/SMT

产品类型 BJTs - Bipolar Transistors

单位重量 8 mg