2SD1949T106Q
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.612437 | ￥1837.31 |
| 6000 | ￥0.578408 | ￥3470.45 |
| 15000 | ￥0.527367 | ￥7910.51 |
| 30000 | ￥0.49334 | ￥14800.20 |
| 75000 | ￥0.481472 | ￥36110.40 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极—基极电压 50 V
发射极 - 基极电压 5 V
饱和电压 400 mV
最大直流电集电极电流 500 mA
耗散功率 200 mW
增益带宽产品 250 MHz
集电极连续电流 0.5 A
直流集电极 120
直流电流增益（Max） 390
技术 Si
外形参数
高度 0.8 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 6.200 mg
2SD1949T106Q 同类别型号
注
2SD1949T106Q品牌厂家：ROHM
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
、2SD1949T106Q
数据手册PDF。
2SD1949T106Q
型号：2SD1949T106Q
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.612437 |
| 6000+： | ￥0.578408 |
| 15000+： | ￥0.527367 |
| 30000+： | ￥0.49334 |
| 75000+： | ￥0.481472 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00